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GermanyRFG60P05E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RFG60P05E
Explicación
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
Descripción detallada
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
215W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
RFG60
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi RFG60P05E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(RFG60P05E)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(RFG60P05E)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXTH76P10T
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 3,542
Precio unitario : $7.80000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,542
Precio unitario : $7.80000
Tipo de reemplazo : Similar