English
China
Rusia
Italy
GermanyBSC883N03MSG
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSC883N03MSG
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 34 V 19A (Ta), 98A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
799
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™3M
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
34 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Package / Case
8-PowerTDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IFEINFBSC883N03MSG
2156-BSC883N03MSG
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC883N03MSG
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 799
Precio unitario: $0.38
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 799
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 799
Alternativas
-