English
China
Rusia
Italy
GermanyFDG410NZ
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDG410NZ
Explicación
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Descripción detallada
N-Channel 20 V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
420mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-88 (SC-70-6)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Product Number
FDG410
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
2832-FDG410NZTR
FDG410NZTR
FDG410NZDKR
FDG410NZCT
FDG410NZ-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDG410NZ
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDG410NZ)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Capacity Expansion 25/Jan/2022)
PCN Packaging
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : CSD16301Q2
Fabricante : Texas Instruments
Cantidad disponible : 17,139
Precio unitario : $0.51000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 17,139
Precio unitario : $0.51000
Tipo de reemplazo : Similar