Última actualización
20250809
Idiomas
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Información de la industria
Consulta de inventario
IPFH6N03LA G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPFH6N03LA G
Explicación
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 25 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-23
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2390 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-23
Base Product Number
IPFH6N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPFH6N03LA G-ND
IPFH6N03LAG
IPFH6N03LAGXT
SP000068589
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPFH6N03LA G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD(F,S,U)H6N03LA G)
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HTML Datasheet
1(IPD(F,S,U)H6N03LA G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STD100N3LF3
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 1,530
Precio unitario : $1.84000
Tipo de reemplazo : Similar
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