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GermanyBSO200N03S
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSO200N03S
Explicación
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
Descripción detallada
N-Channel 30 V 7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.56W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSO200N03S-ND
BSO200N03SXT
SP000077658
BSO200N03SINTR
BSO200N03SINCT
BSO200N03SINDKR
BSO200N03SFUMA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSO200N03S
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSO200N03S)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
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Cantidad y precio
-
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