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GermanyIRFF232
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFF232
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 200 V 4.5A (Tc) 25W Through Hole TO-205AF (TO-39)
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25W
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-205AF (TO-39)
Package / Case
TO-205AF Metal Can
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRFIRFIRFF232
2156-IRFF232
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRFF232
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 341
Precio unitario: $1.01
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 341
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 341
Alternativas
-