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GermanySSM6P16FE(TE85L,F)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SSM6P16FE(TE85L,F)
Explicación
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
Descripción detallada
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount ES6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11 pF @ 3 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150mW (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
ES6
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Base Product Number
SSM6P16
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
SSM6P16FE(TE85LF)TR
SSM6P16FETE85LF
SSM6P16FE(TE85LF)CT
SSM6P16FE(TE85LF)DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE(TE85L,F)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SSM6P16FE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-