Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
2SC5171,MATUDQ(J
Explicación
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
180 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Power - Max
2 W
Frequency - Transition
200MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220NIS
Base Product Number
2SC5171

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Otros nombres

2SC5171MATUDQJ
2SC5171MATUDQ(J

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171,MATUDQ(J

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(2SC5171)
HTML Datasheet
1(2SC5171)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : 2SC4883A
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : 2SC4381
Fabricante : Sanken Electric USA Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.73000
Tipo de reemplazo : Similar