Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SIHB12N60ET5-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Descripción detallada
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
10 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
147W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB12

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB12N60ET5-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SiHB12N60E)

Cantidad y precio

Cantidad: 800
Precio unitario: $1.11655
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 800

Alternativas

Modelo de producto : FCB11N60TM
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 98
Precio unitario : $3.30000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IPB60R299CPAATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 3,987
Precio unitario : $3.19000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IPB65R310CFDAATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,407
Precio unitario : $3.04000
Tipo de reemplazo : Similar