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GermanyIRF6668TR1PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF6668TR1PBF
Explicación
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Descripción detallada
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MZ
Package / Case
DirectFET™ Isometric MZ
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRF6668TR1PBFCT
IRF6668TR1PBFDKR
SP001564776
IRF6668TR1PBFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6668TR1PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF6668(TR)PbF)
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HTML Datasheet
1(IRF6668(TR)PbF)
Product Drawings
1(IR Hexfet Circuit)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF6668TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 17,338
Precio unitario : $1.95000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 17,338
Precio unitario : $1.95000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent