Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IXTA12N65X2
Explicación
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Descripción detallada
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
47 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
IXYS
Series
Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AA
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Base Product Number
IXTA12

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTA12N65X2

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML Datasheet
1(IXTx12N65X2)

Cantidad y precio

Cantidad: 300
Precio unitario: $2.50543
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300

Alternativas

Modelo de producto : IPB65R310CFDAATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,407
Precio unitario : $3.04000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : R6015FNJTL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 980
Precio unitario : $3.32000
Tipo de reemplazo : Similar