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GermanyIRF630NSPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF630NSPBF
Explicación
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
575 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
82W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001574794
*IRF630NSPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF630NSPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF630N)
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1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF630N)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF630SPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 347
Precio unitario : $1.63000
Tipo de reemplazo : Similar
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Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 813
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Modelo de producto : IRF630STRRPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 557
Precio unitario : $1.63000
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Modelo de producto : STB19NF20
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