Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FF200R12KT3HOSA1
Explicación
IGBT MODULE 1200V 1050W
Descripción detallada
IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 1050 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
C
Package
Tray
Product Status
Not For New Designs
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
1050 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF200R12

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SP000100789
FF200R12KT3HOSA1-ND
448-FF200R12KT3HOSA1
2156-FF200R12KT3HOSA1
FF200R12KT3-ND
FF200R12KT3

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF200R12KT3HOSA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FF200R12KT3)
HTML Datasheet
1(FF200R12KT3)

Cantidad y precio

Cantidad: 80
Precio unitario: $122.25863
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 30
Precio unitario: $128.08067
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 10
Precio unitario: $132.932
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $143.61
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-