English
China
Rusia
Italy
GermanyBUV27G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUV27G
Explicación
TRANS NPN 120V 12A TO220
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 12 A 70 W Through Hole TO-220
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
BUV27G Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power - Max
70 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
Base Product Number
BUV27
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BUV27G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUV27)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
PCN Design/Specification
1(TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Devices 28/Aug/2017)
HTML Datasheet
1(BUV27)
EDA Models
1(BUV27G Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-