Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
HUF75639S3_NL
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
245
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-HUF75639S3_NL
FAIFSCHUF75639S3_NL

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF75639S3_NL

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 245
Precio unitario: $1.23
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 245

Alternativas

-