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GermanyRN49A1FE(TE85L,F)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RN49A1FE(TE85L,F)
Explicación
PNP + NPN BRT Q1BSR=2.2KOHM Q1BE
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
4,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
2.2kOhms, 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Frequency - Transition
200MHz, 250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN49A1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
264-RN49A1FE(TE85LF)TR
264-RN49A1FE(TE85LF)CT
264-RN49A1FE(TE85LF)DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE(TE85L,F)
Documentos y medios de comunicación
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL Rev Apr/2021)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PEMD10,115
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 3,885
Precio unitario : $0.46000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,885
Precio unitario : $0.46000
Tipo de reemplazo : Similar