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GermanySPD07N20GBTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPD07N20GBTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
-
Base Product Number
SPD07N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SPD07N20G
SPD07N20 GDKR-ND
SPD07N20 GDKR
SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
SP000449008
SPD07N20GBTMA1DKR
SPD07N20 G-ND
SPD07N20 GTR-ND
SPD07N20GBTMA1TR
SPD07N20GBTMA1CT
SPD07N20 G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPD07N20GBTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPD 07N20 G)
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Cantidad y precio
-
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