Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFW740BTM
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 400 V 10A (Tc) 3.13W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
807
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 134W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

FAIFSCIRFW740BTM
2156-IRFW740BTM

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor IRFW740BTM

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 807
Precio unitario: $0.37
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 807

Alternativas

-