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GermanyFF6MR12W2M1B11BOMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Explicación
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Descripción detallada
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 200A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2BM-2
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
15
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™+
Package
Tray
Product Status
Obsolete
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF @ 800V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
AG-EASY2BM-2
Base Product Number
FF6MR12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FF6MR12W2M1_B11)
Video File
()
Featured Product
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev LDD Rev 23/Dec/2022)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-