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Germany2N7000BU_T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2N7000BU_T
Explicación
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
400mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Base Product Number
2N7000
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi 2N7000BU_T
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 10/Mar/2017)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2N7000-G
Fabricante : Microchip Technology
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $0.50000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $0.50000
Tipo de reemplazo : Direct