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GermanyHN3C51F-BL(TE85L,F
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
HN3C51F-BL(TE85L,F
Explicación
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
350 @ 2mA, 6V
Power - Max
300mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-74, SOT-457
Supplier Device Package
SM6
Base Product Number
HN3C51
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
HN3C51F-BL(TE85LF)CT-ND
HN3C51F-BL(TE85L,F)
HN3C51F-BLTE85LF
HN3C51F-BL (TE85L,F
HN3C51F-BL(TE85LFCT
HN3C51FBL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR-ND
HN3C51FBL(TE85LFTR-ND
HN3C51F-BL(TE85LF)CT
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR
HN3C51F-BL(TE85LF)TR
HN3C51F-BL(TE85LFTR
HN3C51F-BL(TE85LF)DKR-ND
HN3C51F-BL(TE85LFDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-BL(TE85L,F
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(HN3C51F)
HTML Datasheet
1(HN3C51F)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2SC4117-BL,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 1,732
Precio unitario : $0.23000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,732
Precio unitario : $0.23000
Tipo de reemplazo : Similar