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GermanyAOTF2N60
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AOTF2N60
Explicación
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
Descripción detallada
N-Channel 600 V 2A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F
Fabricación
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
31W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
AOTF298
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2N60
Documentos y medios de comunicación
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1(TO220F Pkg Drawing)
Product Drawings
1(TO220F Pkg Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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