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GermanyBSC032N03S
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSC032N03S
Explicación
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Descripción detallada
N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5080 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
Package / Case
8-PowerTDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSC032N03ST
SP000014714
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC032N03S
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSC032N03S)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSC032N03S)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Precio unitario : $1.48000
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