English
China
Rusia
Italy
GermanyPTF180101S V1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PTF180101S V1
Explicación
RF MOSFET LDMOS 28V H-32259-2
Descripción detallada
RF Mosfet 28 V 180 mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
GOLDMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
LDMOS
Frequency
1.99GHz
Gain
19dB
Voltage - Test
28 V
Current Rating (Amps)
1µA
Noise Figure
-
Current - Test
180 mA
Power - Output
10W
Voltage - Rated
65 V
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
H-32259-2
Supplier Device Package
H-32259-2
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
F180101SV1XT
PTF180101SV1
PTF180101SV1XT
PTF180101S V1-ND
SP000009989
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Infineon Technologies PTF180101S V1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PTF180101)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(PTF180101)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-