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GermanyBD810G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BD810G
Explicación
TRANS PNP 80V 10A TO220
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
BD810G Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 4A, 2V
Power - Max
90 W
Frequency - Transition
1.5MHz
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220
Base Product Number
BD810
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-BD810G-OS
ONSONSBD810G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD810G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BD809,810)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN Design/Specification
1(TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014)
PCN Assembly/Origin
1(Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Test 16/Oct/2015)
HTML Datasheet
1(BD809,810)
EDA Models
1(BD810G Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : 2N6491G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.99000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.99000
Tipo de reemplazo : Similar