Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRF6613TRPBF
Explicación
IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descripción detallada
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
258
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MT
Package / Case
DirectFET™ Isometric MT

Clasificaciones medioambientales y de exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Otros nombres

2156-IRF6613TRPBF
INFIRFIRF6613TRPBF

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRF6613TRPBF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 258
Precio unitario: $1.16
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 258

Alternativas

-