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GermanySPN01N60C3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPN01N60C3
Explicación
MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
Descripción detallada
N-Channel 650 V 300mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Base Product Number
SPN01N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPN01N60C3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SPN01N60C3)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPN01N60C3)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STN1HNK60
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 48,058
Precio unitario : $1.07000
Tipo de reemplazo : Similar
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