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GermanyEPC2106ENGRT
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
EPC2106ENGRT
Explicación
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Descripción detallada
Mosfet Array 100V 1.7A Surface Mount Die
Fabricación
EPC
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
EPC
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
75pF @ 50V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
EPC210
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Otros nombres
917-EPC2106ENGRTR
917-EPC2106ENGRCT
917-EPC2106ENGRDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/EPC EPC2106ENGRT
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(EPC2106)
Video File
()
Environmental Information
()
Reference Design Library
1(EPC9055: 3A, 0 ~ 100V, Half H-Bridge Driver)
HTML Datasheet
1(EPC2106)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-