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GermanyNAND04GW3C2BN6E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NAND04GW3C2BN6E
Explicación
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
Descripción detallada
FLASH - NAND Memory IC 4Gbit Parallel 25 ns 48-TSOP
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
576
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
4Gbit
Memory Organization
512M x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
25ns
Access Time
25 ns
Voltage - Supply
2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Supplier Device Package
48-TSOP
Base Product Number
NAND04G
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. NAND04GW3C2BN6E
Documentos y medios de comunicación
PCN Assembly/Origin
1(Tray Pkg Label Chgs 8/Oct/2020)
PCN Packaging
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-