Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
2SB507E
Explicación
TRANSISTOR
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 8MHz 1.75 W Through Hole TO-220
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
641
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
8MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

ONSONS2SB507E
2156-2SB507E

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB507E

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 641
Precio unitario: $0.47
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 641

Alternativas

-