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GermanyFDP3205
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDP3205
Explicación
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 55 V 100A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
254
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7730 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCFDP3205
2156-FDP3205-FS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDP3205
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDP3205)
Cantidad y precio
Cantidad: 254
Precio unitario: $1.19
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 254
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 254
Alternativas
-