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GermanySI7911DN-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SI7911DN-T1-GE3
Explicación
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A PPAK 1212
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 4.2A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.3W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8 Dual
Base Product Number
SI7911
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SI7911DN-T1-GE3CT
SI7911DN-T1-GE3TR
SI7911DN-T1-GE3DKR
SI7911DNT1GE3
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SI7911DN)
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML Datasheet
1(SI7911DN)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SI7913DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 1,751
Precio unitario : $1.58000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,751
Precio unitario : $1.58000
Tipo de reemplazo : Similar