Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
C3M0065100J
Explicación
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Fabricación
Wolfspeed, Inc.
Plazo de entrega estándar
34 Weeks
Modelo edacad
C3M0065100J Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Wolfspeed, Inc.
Series
C3M™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 600 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
113.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK-7
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Base Product Number
C3M0065100

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Wolfspeed, Inc. C3M0065100J

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(C3M0065100J)
Featured Product
()
PCN Design/Specification
()
Article Library
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
HTML Datasheet
1(C3M0065100J)
EDA Models
1(C3M0065100J Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 500
Precio unitario: $14.14324
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 100
Precio unitario: $16.5741
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 50
Precio unitario: $17.679
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $21.33
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1

Alternativas

-