Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
PMPB33XN,115
Explicación
MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6
Descripción detallada
N-Channel 30 V 4.3A (Ta) 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010B-6
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,378
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
505 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.5W (Ta), 8.3W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DFN1010B-6
Package / Case
6-XFDFN Exposed Pad

Clasificaciones medioambientales y de exportación

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

NEXNXPPMPB33XN,115
2156-PMPB33XN,115

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PMPB33XN,115

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(PMPB33xN,115 Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 3378
Precio unitario: $0.09
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 3378

Alternativas

-