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GermanyCY7C1312CV18-250BZI
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CY7C1312CV18-250BZI
Explicación
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Descripción detallada
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mbit Parallel 250 MHz 165-FBGA (13x15)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
136
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
SRAM
Technology
SRAM - Synchronous, QDR II
Memory Size
18Mbit
Memory Organization
1M x 18
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
250 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
165-LBGA
Supplier Device Package
165-FBGA (13x15)
Base Product Number
CY7C1312
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Otros nombres
-CY7C1312CV18-250BZI
2156-CY7C1312CV18-250BZI-CY
CYPCYPCY7C1312CV18-250BZI
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Infineon Technologies CY7C1312CV18-250BZI
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(CY7C1312/14CV18)
Featured Product
1(Cypress Memory Products)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(CY7C1312/14CV18)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-