English
China
Rusia
Italy
GermanyIRFH5110TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH5110TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Descripción detallada
N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3152 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001570790
IRFH5110TR2PBFCT
IRFH5110TR2PBFDKR
IRFH5110TR2PBFTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5110TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH5110PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Environmental Information
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Simulation Models
1(IRFH5110TR2PBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : DMT10H015LFG-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Cantidad disponible : 37,330
Precio unitario : $1.05000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 37,330
Precio unitario : $1.05000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : TPN1600ANH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 1,395
Precio unitario : $0.85000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 1,395
Precio unitario : $0.85000
Tipo de reemplazo : Similar