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GermanyVS-C04ET07T-M3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
VS-C04ET07T-M3
Explicación
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Descripción detallada
Diode 650 V 4A Through Hole TO-220AC
Fabricación
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 4 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
25 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
170pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220AC
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Base Product Number
C04ET07
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C04ET07T-M3
Documentos y medios de comunicación
Featured Product
1(650 V Silicon Carbide Schottky Diodes)
PCN Obsolescence/ EOL
1(VS-CxxxP07L-M3 obs 16/Aug/2022)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-