Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPB80N04S3H4ATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Descripción detallada
N-Channel 40 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 65µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
115W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IPB80N

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

IPB80N04S3-H4
2156-IPB80N04S3H4ATMA1-ITTR
IPB80N04S3H4ATMA1TR
SP000415564
INFINFIPB80N04S3H4ATMA1
IPB80N04S3-H4-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB80N04S3H4ATMA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPx80N04S3-H4)
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PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
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1(IPx80N04S3-H4)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPB80N04S404ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,000
Precio unitario : $1.10193
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : STB120N4F6
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 964
Precio unitario : $2.38000
Tipo de reemplazo : Similar