English
China
Rusia
Italy
Germany2SC2383-O(T6OMI,FM
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC2383-O(T6OMI,FM
Explicación
TRANS NPN 160V 1A TO92MOD
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 200mA, 5V
Power - Max
900 mW
Frequency - Transition
100MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Supplier Device Package
TO-92MOD
Base Product Number
2SC2383
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
2SC2383OT6OMIFM
2SC2383-O(T6OMIFM
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O(T6OMI,FM
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SC2383)
HTML Datasheet
1(2SC2383)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-