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GermanySIB455EDK-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIB455EDK-T1-GE3
Explicación
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Descripción detallada
P-Channel 12 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-75-6
Package / Case
PowerPAK® SC-75-6
Base Product Number
SIB455
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SIB455EDK-T1-GE3TR
SIB455EDKT1GE3
SIB455EDK-T1-GE3DKR
SIB455EDK-T1-GE3CT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIB455EDK-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013)
PCN Assembly/Origin
1(Wafer Fab Addition 22/Jun/2015)
HTML Datasheet
1(SIB455EDK)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SIB441EDK-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 9,000
Precio unitario : $0.44000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 9,000
Precio unitario : $0.44000
Tipo de reemplazo : Similar