Última actualización
20251231
Idiomas
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Información de la industria
Consulta de inventario
IXFH120N25T
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFH120N25T
Explicación
MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Descripción detallada
N-Channel 250 V 120A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
45 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFH120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFH120N25T
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXFx120N25T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXFx120N25T)
Cantidad y precio
Cantidad: 300
Precio unitario: $10.44237
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Alternativas
Modelo de producto : IRFP4768PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,635
Precio unitario : $7.12000
Tipo de reemplazo : Similar
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