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GermanyRN2105ACT(TPL3)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RN2105ACT(TPL3)
Explicación
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
CST3
Base Product Number
RN2105
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
RN2105ACT(TPL3)CT
RN2105ACT(TPL3)TR
RN2105ACT(TPL3)DKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3)
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
Cantidad: 10000
Precio unitario: $0.05166
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 10000
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 10000
Alternativas
-