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GermanyIRFIZ48VPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFIZ48VPBF
Explicación
MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP
Descripción detallada
N-Channel 60 V 39A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1985 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
43W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001556666
*IRFIZ48VPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFIZ48VPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFIZ48VPbF)
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Featured Product
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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