Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
RN2101ACT(TPL3)
Explicación
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
CST3
Base Product Number
RN2101

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Otros nombres

RN2101ACT(TPL3)CT
RN2101ACT(TPL3)TR
RN2101ACT(TPL3)DKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN2101ACT(TPL3)

Documentos y medios de comunicación

-

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : PDTA143TM,315
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.03331
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : PDTA143TMB,315
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.03537
Tipo de reemplazo : Similar