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Germany2SC3599E
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC3599E
Explicación
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Fabricación
Sanyo
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
460
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Sanyo
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 7mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Power - Max
1.2 W
Frequency - Transition
500MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Sanyo 2SC3599E
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 460
Precio unitario: $0.65
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 460
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 460
Alternativas
-