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GermanyIXYN120N65C3D1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXYN120N65C3D1
Explicación
IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
Descripción detallada
IGBT PT 650 V 190 A 830 W Chassis Mount SOT-227B
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
GenX3™, XPT™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
190 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
620 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 100A
Power - Max
830 W
Switching Energy
1.25mJ (on), 500µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
265 nC
Td (on/off) @ 25°C
28ns/127ns
Test Condition
400V, 50A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
29 ns
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package
SOT-227B
Base Product Number
IXYN120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/IXYS IXYN120N65C3D1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXYN120N65C3D1)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev obs 15/Feb/2023)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-