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GermanyIRFP251
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFP251
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 150 V 33A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
148
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
HARHARIRFP251
2156-IRFP251
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRFP251
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 148
Precio unitario: $2.03
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 148
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 148
Alternativas
-