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GermanyBSM150GB170DN2HOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM150GB170DN2HOSA1
Explicación
IGBT MOD 1700V 220A 1250W
Descripción detallada
IGBT Module Half Bridge 1700 V 220 A 1250 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)
220 A
Power - Max
1250 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.9V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)
1.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
20 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM150
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000100746
INFINFBSM150GB170DN2HOSA1
2156-BSM150GB170DN2HOSA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM150GB170DN2HOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSM 150 GB 170 DN2)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(BSM 150 GB 170 DN2)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FF150R17KE4HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $144.11000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $144.11000
Tipo de reemplazo : Similar