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GermanyBSC020N025S G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSC020N025S G
Explicación
MOSFET N-CH 25V 30A/100A TDSON
Descripción detallada
N-Channel 25 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8290 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-1
Package / Case
8-PowerTDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSC020N025SGXT
BSC020N025SGAUMA1
BSC020N025SGINDKR
BSC020N025SGINCT
BSC020N025SGINTR
SP000095463
BSC020N025SG
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC020N025S G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSC020N025S G)
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Cantidad y precio
-
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