Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
EPC2100ENGRT
Explicación
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
Fabricación
EPC
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
EPC
Series
eGaN®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
EPC210

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040

Otros nombres

917-EPC2100ENGRDKR
917-EPC2100ENGRCT
917-EPC2100ENGRTR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/EPC EPC2100ENGRT

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(EPC2100)
Product Training Modules
1(eGaN Integrated GaN Power)
Environmental Information
()
Reference Design Library
1(EPC9059: 50A, 0 ~ 20V, Half Bridge)
HTML Datasheet
1(EPC2100)
Forum Discussions
1(What do GaN FETS look like and how do they work?)

Cantidad y precio

Cantidad: 2500
Precio unitario: $3.88406
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 500
Cantidad: 1000
Precio unitario: $4.14504
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 500
Cantidad: 500
Precio unitario: $4.6056
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 500

Alternativas

-